1N6638、1N6642和1N6643是一系列經(jīng)過軍事認證的無空洞密封開關二極管,以其超快速恢復時間、極低電容和冶金鍵合結構而著稱,適用于高速開關應用,如計算機外圍設備和網(wǎng)絡接口,同時提供出色的熱性能和環(huán)境適應性,并有符合RoHS標準的版本可選。
1N6492是一款軍用級別的密封肖特基整流器,適用于高效率、低電壓和高可靠性的開關電源,具有4安培電流和45伏電壓的規(guī)格,符合MIL-PRF-19500/567標準,并提供JAN、JANTX和JANTXV級別的產(chǎn)品。它以其極低的正向電壓降、高浪涌能力、低恢復電荷和符合RoHS標準的商業(yè)級版本而受到青睞。此外,它還具有特定的最大額定值,包括結點和存儲溫度、熱阻、直流阻斷電壓等,并提供詳細的電氣特性和封裝尺寸信息。
MTI - Milliren Technologies, Inc.的250系列OCXO是高性能頻率控制方案,適用于極端溫度環(huán)境。它具有寬頻率、溫度、供電電壓范圍,低老化率、供電電壓敏感度、諧波失真,還有多種輸出選項等特性,預熱和連續(xù)功耗低、預熱時間短。該系列產(chǎn)品在通信、無線、測試測量、網(wǎng)絡同步等領域廣泛應用。
1N6101是一款低電容隔離二極管陣列,用于保護多達八個I/O端口免受ESD、EFT或浪涌的影響,具有高擊穿電壓、低漏電流、低電容和快速開關速度等特點,適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡、以太網(wǎng)、計算機I/O端口等應用,并符合MIL-PRF-19500/474標準。
1N6073至1N6081系列是由Microsemi生產(chǎn)的軍用級超快速恢復玻璃功率整流器,它們以其無空洞密封玻璃封裝、三重鈍化和內(nèi)部冶金鍵合技術而著稱,適用于需要高可靠性、快速開關和低正向損耗的應用,如軍事設備和開關電源。這些整流器提供3A、6A和12A的額定電流,工作峰值反向電壓從50V到150V,具有出色的熱性能和浪涌電流能力。
DELTA HCME104610F系列電感器,專為高頻應用設計,以精確電感值、低直流電阻、高電流承載能力和寬溫度范圍(-40℃至125℃)著稱,適用于電源管理、無線通信設備、消費電子和汽車電子等多種電子設備,確保高效能和小型化需求。
Princeton Microwave的PmTA-1830-20-3低噪聲放大器,頻率范圍18至30 GHz,提供20 dB增益和±1.25 dB增益平坦度,噪聲系數(shù)3 dB,輸入輸出回波損耗均為-10 dB,輸出功率至少10 dBm,工作電壓12V,電流100mA,連接器為SMA母頭,具備50歐姆匹配、內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)、無條件穩(wěn)定和密封模塊等特點,適用于-50°C至100°C的標準工作溫度范圍。
LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架構的通信處理器,屬于LS1系列,專為無風扇、小尺寸的企業(yè)級和消費級網(wǎng)絡應用設計。它們配備了雙Arm Cortex-A7核心,最高頻率可達1.2 GHz,支持虛擬化和高性能計算,提供廣泛的集成度和能效。這兩款處理器還具備先進的安全特性,支持多種工業(yè)協(xié)議,并且與LS1021A處理器在引腳和軟件上兼容。作為NXP EdgeVerse?邊緣計算平臺的一部分,它們在網(wǎng)絡、PCIe、內(nèi)存控制和安全引擎等方面提供了豐富的功能和擴展性。
Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管,具有1500W的高脈沖功率和快速響應時間,適用于保護電子設備免受感性切換、射頻感應或雷擊效應的影響。這些產(chǎn)品提供5.5V至185V的工作電壓范圍,采用密封的DO-13金屬封裝,并提供符合MIL-PRF-19500/507標準的軍事等級選項以及RoHS合規(guī)的商業(yè)等級。它們廣泛應用于ESD、EFT和雷擊保護,具有廣泛的溫度工作范圍和高可靠性,是高可靠性應用的理想選擇。
Microsemi公司生產(chǎn)的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型號的5瓦特玻璃齊納二極管是一系列高可靠性產(chǎn)品,適用于軍事和商業(yè)應用,具有無空隙的密封玻璃封裝和內(nèi)部冶金鍵合,提供從3.3伏特到390伏特的廣泛電壓選擇,標準公差為±5%,更緊密公差選項為±2%或±1%。這些二極管在-65°C至+175°C的溫度范圍內(nèi)工作,能夠耗散高達5瓦特的功率,具有優(yōu)秀的電壓調(diào)節(jié)能力和ESD抗性,且固有輻射硬度,適合極端環(huán)境下的應用。
1N5807、1N5809和1N5811是一系列軍用級超快速恢復玻璃整流器,具備無空洞密封玻璃封裝、四層鈍化和內(nèi)部冶金鍵合等特性,提供50V至150V的工作峰值反向電壓,支持高達125A的正向浪涌電流和6.0A的平均整流輸出電流,具有30ns的快速反向恢復時間,適用于軍事、航天和高性能開關電源等高可靠性應用領域。
1N5772是一款10引腳陶瓷扁平封裝的低電容隔離二極管陣列,設計用于保護多達八個I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影響,具有高擊穿電壓、低漏電流和低電容特性,適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡、以太網(wǎng)和計算機I/O端口等應用,并提供符合MIL-PRF19500/474標準的篩選選項。
Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調(diào)節(jié)二極管是一系列0.5瓦特的器件,提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇,具有10%的標準公差。這些器件以其高源阻抗、內(nèi)部冶金鍵合和軍事級別的資格而著稱,能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定調(diào)節(jié)電流。它們提供靈活的安裝選項,對ESD不敏感,并且具有固有的輻射硬度,適用于需要精確電流控制的電子應用。
LS1012A是一款低功耗處理器,專為電池或USB供電、空間受限的網(wǎng)絡和物聯(lián)網(wǎng)應用設計。它集成了Arm Cortex-A53核心,運行速度達1GHz,功耗僅為1W,支持線速網(wǎng)絡性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設備兼容,屬于NXP的EdgeVerse邊緣計算平臺。特點包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口,以及多種外設和安全功能,封裝為211 FC-LGA,9.6x9.6 mm。
OX200 - DK是12V直流驅動、CO - 8封裝的烤箱補償晶體振蕩器。專為特定需求設計,特點有頻率穩(wěn)定性高(±5.0ppb)、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性,還有多種頻率穩(wěn)定性相關參數(shù)。
Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器,額定電壓為15000V,電容值范圍從0.0005到0.500uf,提供±2%至20%的容差選項,工作溫度范圍為-55°C至85°C,絕緣電阻為25至50k ΩF,損耗因子在1,000Hz時為0.6%,測試電壓為額定電壓的150%,適用于高壓電路。
Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數(shù)字信號處理器,專為5G基礎設施和定制通信系統(tǒng)設計,具備強大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯能力,適用于網(wǎng)絡監(jiān)聽、小型無線電單元和中繼器等應用,提供8mm x 8mm的封裝和在105C時1.5W的最大功耗。
NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎微控制器,專為汽車儀表盤和工業(yè)應用設計,具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構,支持雙WVGA顯示和HUD變形,集成了先進的圖形處理單元和功能安全特性,滿足ISO26262 ASIL-B標準,并提供豐富的軟件支持和開發(fā)工具。
PDI VC29系列VCXO可在苛刻環(huán)境下精確輸出頻率,適用于低噪、低抖、高振環(huán)境。規(guī)格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩(wěn)定性、溫度、電壓等。性能參數(shù)包括調(diào)頻范圍、噪聲、啟動時間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置,特定包裝材料,符合相關標準,適用于通信、精密儀器、工業(yè)自動化設備等。
Infineon的P溝道功率MOSFET系列專為中低功率應用設計,具有空穴流載流子、負柵極電壓需求、簡化設計和廣泛電壓等級等特點,優(yōu)化電路設計并易于獲取。提供多種封裝類型,廣泛應用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動等領域,包括工業(yè)和汽車應用,特別是車規(guī)級產(chǎn)品。
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