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JANTX1N6101低電容二極管陣列Microsemi

2024-11-21 09:56:12

1N6101是一款低電容隔離二極管陣列，用于保護(hù)多達(dá)八個(gè)I/O端口免受ESD、EFT或浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流、低電容和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)，適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡(luò)、以太網(wǎng)、計(jì)算機(jī)I/O端口等應(yīng)用，并符合MIL-PRF-19500/474標(biāo)準(zhǔn)。

JANTX1N6080玻璃功率軍標(biāo)整流二極管Microsemi

2024-11-21 09:40:08

1N6073至1N6081系列是由Microsemi生產(chǎn)的軍用級(jí)超快速恢復(fù)玻璃功率整流器，它們以其無(wú)空洞密封玻璃封裝、三重鈍化和內(nèi)部冶金鍵合技術(shù)而著稱(chēng)，適用于需要高可靠性、快速開(kāi)關(guān)和低正向損耗的應(yīng)用，如軍事設(shè)備和開(kāi)關(guān)電源。這些整流器提供3A、6A和12A的額定電流，工作峰值反向電壓從50V到150V，具有出色的熱性能和浪涌電流能力。

DELTA臺(tái)達(dá)HCME104610F電感器

2024-11-21 09:25:56

DELTA HCME104610F系列電感器，專(zhuān)為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)，以精確電感值、低直流電阻、高電流承載能力和寬溫度范圍（-40℃至125℃）著稱(chēng)，適用于電源管理、無(wú)線通信設(shè)備、消費(fèi)電子和汽車(chē)電子等多種電子設(shè)備，確保高效能和小型化需求。

PMTA-1830-20-3低噪聲放大器Princeton Microwave

2024-11-21 09:09:19

Princeton Microwave的PmTA-1830-20-3低噪聲放大器，頻率范圍18至30 GHz，提供20 dB增益和±1.25 dB增益平坦度，噪聲系數(shù)3 dB，輸入輸出回波損耗均為-10 dB，輸出功率至少10 dBm，工作電壓12V，電流100mA，連接器為SMA母頭，具備50歐姆匹配、內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)、無(wú)條件穩(wěn)定和密封模塊等特點(diǎn)，適用于-50°C至100°C的標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍。

NXP LS1020A和LS1022A通信處理器：高性能、低功耗的網(wǎng)絡(luò)解決方案

2024-11-20 10:25:49

LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架構(gòu)的通信處理器，屬于LS1系列，專(zhuān)為無(wú)風(fēng)扇、小尺寸的企業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它們配備了雙Arm Cortex-A7核心，最高頻率可達(dá)1.2 GHz，支持虛擬化和高性能計(jì)算，提供廣泛的集成度和能效。這兩款處理器還具備先進(jìn)的安全特性，支持多種工業(yè)協(xié)議，并且與LS1021A處理器在引腳和軟件上兼容。作為NXP EdgeVerse?邊緣計(jì)算平臺(tái)的一部分，它們?cè)诰W(wǎng)絡(luò)、PCIe、內(nèi)存控制和安全引擎等方面提供了豐富的功能和擴(kuò)展性。

Microsemi 1N6036A至1N6072A雙向瞬態(tài)電壓抑制器TVS

2024-11-20 10:21:17

Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）二極管，具有1500W的高脈沖功率和快速響應(yīng)時(shí)間，適用于保護(hù)電子設(shè)備免受感性切換、射頻感應(yīng)或雷擊效應(yīng)的影響。這些產(chǎn)品提供5.5V至185V的工作電壓范圍，采用密封的DO-13金屬封裝，并提供符合MIL-PRF-19500/507標(biāo)準(zhǔn)的軍事等級(jí)選項(xiàng)以及RoHS合規(guī)的商業(yè)等級(jí)。它們廣泛應(yīng)用于ESD、EFT和雷擊保護(hù)，具有廣泛的溫度工作范圍和高可靠性，是高可靠性應(yīng)用的理想選擇。

JANTX1N5968軍級(jí)玻璃齊納二極管Microsemi

2024-11-20 10:09:51

Microsemi公司生產(chǎn)的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型號(hào)的5瓦特玻璃齊納二極管是一系列高可靠性產(chǎn)品，適用于軍事和商業(yè)應(yīng)用，具有無(wú)空隙的密封玻璃封裝和內(nèi)部冶金鍵合，提供從3.3伏特到390伏特的廣泛電壓選擇，標(biāo)準(zhǔn)公差為±5%，更緊密公差選項(xiàng)為±2%或±1%。這些二極管在-65°C至+175°C的溫度范圍內(nèi)工作，能夠耗散高達(dá)5瓦特的功率，具有優(yōu)秀的電壓調(diào)節(jié)能力和ESD抗性，且固有輻射硬度，適合極端環(huán)境下的應(yīng)用。

Microsemi JANTX1N5807軍級(jí)整流二極管 原裝現(xiàn)貨

2024-11-19 14:21:16

1N5807、1N5809和1N5811是一系列軍用級(jí)超快速恢復(fù)玻璃整流器，具備無(wú)空洞密封玻璃封裝、四層鈍化和內(nèi)部冶金鍵合等特性，提供50V至150V的工作峰值反向電壓，支持高達(dá)125A的正向浪涌電流和6.0A的平均整流輸出電流，具有30ns的快速反向恢復(fù)時(shí)間，適用于軍事、航天和高性能開(kāi)關(guān)電源等高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域。

JANTX1N5772低電容二極管陣列 10引腳陶瓷封裝Microsemi

2024-11-19 13:53:23

1N5772是一款10引腳陶瓷扁平封裝的低電容隔離二極管陣列，設(shè)計(jì)用于保護(hù)多達(dá)八個(gè)I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流和低電容特性，適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡(luò)、以太網(wǎng)和計(jì)算機(jī)I/O端口等應(yīng)用，并提供符合MIL-PRF19500/474標(biāo)準(zhǔn)的篩選選項(xiàng)。

JANTX1N5284-1電流調(diào)節(jié)軍級(jí)二極管Microsemi

2024-11-19 08:56:02

Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列電流調(diào)節(jié)二極管是一系列0.5瓦特的器件，提供從0.22毫安到4.7毫安的電流選擇，具有10%的標(biāo)準(zhǔn)公差。這些器件以其高源阻抗、內(nèi)部冶金鍵合和軍事級(jí)別的資格而著稱(chēng)，能夠在廣泛的電壓和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定調(diào)節(jié)電流。它們提供靈活的安裝選項(xiàng)，對(duì)ESD不敏感，并且具有固有的輻射硬度，適用于需要精確電流控制的電子應(yīng)用。

LS1012ASE7EKB低功耗處理器NXP恩智浦

2024-11-18 13:53:51

LS1012A是一款低功耗處理器，專(zhuān)為電池或USB供電、空間受限的網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它集成了Arm Cortex-A53核心，運(yùn)行速度達(dá)1GHz，功耗僅為1W，支持線速網(wǎng)絡(luò)性能和多種高速接口。軟件上與LS家族設(shè)備兼容，屬于NXP的EdgeVerse邊緣計(jì)算平臺(tái)。特點(diǎn)包括單核1GHz、256 KB L2緩存、16位DDR3L SDRAM、支持高達(dá)6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口，以及多種外設(shè)和安全功能，封裝為211 FC-LGA，9.6x9.6 mm。

Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驅(qū)動(dòng)、CO - 8封裝的烤箱補(bǔ)償晶體振蕩器。專(zhuān)為特定需求設(shè)計(jì)，特點(diǎn)有頻率穩(wěn)定性高（±5.0ppb）、溫度范圍寬、低功耗、低相位噪聲和抖動(dòng)且RoHS合規(guī)。電氣參數(shù)包括供電電壓范圍、輸出特性，還有多種頻率穩(wěn)定性相關(guān)參數(shù)。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/紙介電容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/紙介電容器，額定電壓為15000V，電容值范圍從0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差選項(xiàng)，工作溫度范圍為-55°C至85°C，絕緣電阻為25至50k ΩF，損耗因子在1,000Hz時(shí)為0.6%，測(cè)試電壓為額定電壓的150%，適用于高壓電路。

LA9310S7S11AA可編程基帶處理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC數(shù)字信號(hào)處理器，專(zhuān)為5G基礎(chǔ)設(shè)施和定制通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)，具備強(qiáng)大的VSPA DSP、高速采樣率、靈活的I/O連接和前向糾錯(cuò)能力，適用于網(wǎng)絡(luò)監(jiān)聽(tīng)、小型無(wú)線電單元和中繼器等應(yīng)用，提供8mm x 8mm的封裝和在105C時(shí)1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基礎(chǔ)MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基礎(chǔ)微控制器，專(zhuān)為汽車(chē)儀表盤(pán)和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架構(gòu)，支持雙WVGA顯示和HUD變形，集成了先進(jìn)的圖形處理單元和功能安全特性，滿足ISO26262 ASIL-B標(biāo)準(zhǔn)，并提供豐富的軟件支持和開(kāi)發(fā)工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X壓控晶體振蕩器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻環(huán)境下精確輸出頻率，適用于低噪、低抖、高振環(huán)境。規(guī)格涵蓋尺寸、頻率范圍、輸出模式、穩(wěn)定性、溫度、電壓等。性能參數(shù)包括調(diào)頻范圍、噪聲、啟動(dòng)時(shí)間、輸出電壓、電流消耗。有4 - 6引腳配置，特定包裝材料，符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，適用于通信、精密儀器、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等。

Infineon英飛凌P溝道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P溝道功率MOSFET系列專(zhuān)為中低功率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有空穴流載流子、負(fù)柵極電壓需求、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和廣泛電壓等級(jí)等特點(diǎn)，優(yōu)化電路設(shè)計(jì)并易于獲取。提供多種封裝類(lèi)型，廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，包括工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，特別是車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面貼裝CMOS時(shí)鐘振蕩器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定頻率晶體控制振蕩器采用5.0x7.0mm表面貼裝封裝，適用于高頻率穩(wěn)定性和低抖動(dòng)應(yīng)用，工作電壓為3.3V或5.0V，頻率穩(wěn)定性為±25ppm或±50ppm，溫度范圍為-20至70°C，頻率范圍為1.0至156.25MHz，負(fù)載電容為15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存儲(chǔ)溫度為-55至125°C，采用密封陶瓷封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)鉛焊接。

IRLML6401TRPBF：12V單通道P溝道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飛凌科技推出的12V單P溝道功率MOSFET，采用SOT-23封裝，專(zhuān)為低功耗和低頻率應(yīng)用設(shè)計(jì)，具備寬廣的安全工作區(qū)域、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、低頻應(yīng)用中的高性能等特點(diǎn)，適用于DC開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用，技術(shù)規(guī)格包括最大漏極電流-4.3A、導(dǎo)通電阻最大50mΩ等，非常適合電源管理、電機(jī)控制和電池供電設(shè)備。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶體管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射頻功率晶體管，專(zhuān)為3400 MHz至3800 MHz頻率范圍內(nèi)的基站應(yīng)用設(shè)計(jì)。其特點(diǎn)包括緊湊的8 mm x 8 mm QFN封裝、5G mMIMO優(yōu)化、高效率Doherty配置、寬帶操作、內(nèi)部匹配設(shè)計(jì)以及優(yōu)秀的數(shù)字預(yù)失真能力。適用于多載波應(yīng)用，提供高帶寬和高數(shù)據(jù)速率，技術(shù)參數(shù)包括110W名義輸出功率、48V漏源電壓、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏極效率。