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  Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET 2024-05-16 09:31:15

  Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款高效N溝道25V MOSFET，采用TrenchFET技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。適用于適配器和負載開關，尤其在高側開關應用中表現(xiàn)出色。該器件在Vgs=10V時提供25V漏源電壓和0.0115Ω導通電阻，支持高達15.1A的連續(xù)漏極電流和32A的脈沖電流，同時具備良好的熱特性。

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  ADI:當前中國核心集成電路國產(chǎn)芯片占有率 2021-07-13 16:59:41

  憑據(jù)IC Insight的數(shù)據(jù)，2015年中國集成電路企業(yè)在世界上的市場份額惟有3%，美國、韓國、日分內別到達54%/20%/8%。實際上，即使是美國、韓國、日本也無法到達半導體家當鏈的100%自產(chǎn)。比方，在優(yōu)秀工藝生產(chǎn)的焦點裝備鐫刻機方面依附荷蘭的ASML。列入環(huán)球單干，在此過程當中漸漸進步國產(chǎn)化的比例，是可行的半導體家當開展之路。