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  Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

  JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力，-60V電壓等級，-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應(yīng)強化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負載點轉(zhuǎn)換器、同步整流、配電電路等。產(chǎn)品型號：JANSR2N7626UBN。

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  ADI晶圓良好模具KGD 2021-05-07 17:20:38

  ADI?的KGD工藝技術(shù)容許產(chǎn)品以模具的形式裝運，以實現(xiàn)高質(zhì)量和可靠性標準規(guī)定。KGD的目標是在整個溫度范圍內(nèi)提供滿足Fu產(chǎn)品型號規(guī)格（速度功能測試、老化過程和缺陷）的模具產(chǎn)品。科技創(chuàng)新的已知優(yōu)良模具制造工藝技術(shù)是滿足客戶零缺陷應(yīng)用需求的理想解決方案。ADI選用獨特的交付使用流程，根據(jù)完整性的數(shù)據(jù)表規(guī)范測試KGD零部件。ADI的大多數(shù)標準規(guī)定產(chǎn)品組合都以KGD格式提供。