Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET
發(fā)布時間:2024-08-05 09:13:13 瀏覽:300
Linear Systems 3N165和3N166是單片雙P通道增強(qiáng)型MOSFET,具有以下特點(diǎn)和應(yīng)用優(yōu)勢:
主要特點(diǎn)
高輸入阻抗:這使得它們非常適合需要高阻抗輸入的應(yīng)用,減少了對前級電路的影響。
高柵極擊穿電壓:允許在更高的電壓下工作,增強(qiáng)了器件的可靠性和適用范圍。
超低泄漏電流:在關(guān)閉狀態(tài)下幾乎不消耗電流,這對于低功耗和精密測量應(yīng)用至關(guān)重要。
低電容:有助于減少信號延遲和失真,提高信號處理的精確度。
應(yīng)用場景
模擬信號處理:由于其高輸入阻抗和低泄漏特性,非常適合用于放大器、濾波器和其他模擬信號處理電路。
精密測量儀器:在需要高精度測量和低噪聲的環(huán)境中,這些MOSFET可以提供穩(wěn)定和可靠的性能。
高電壓操作:在需要處理高電壓信號的應(yīng)用中,如電源管理和電壓轉(zhuǎn)換器,這些器件可以安全可靠地工作。
封裝和引腳配置
SOIC封裝:適合表面貼裝技術(shù),便于自動化生產(chǎn)。
- 引腳配置:NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC
TO-99封裝:傳統(tǒng)的通孔封裝,適用于需要更高散熱能力的應(yīng)用。
- 引腳配置:Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC
規(guī)格參數(shù):
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted) | |||||||
SYMBOL | CHARACTERISTIC | 3N165 & 3N166 | LS3N165 & LS3N166 | UNITS | CONDITIONS | ||
MIN | MAX | MIN | MAX | ||||
IGs5R | Gate Reverse Leakage Current | 10 | 100 | pA | VGs=40V | ||
lcssF | Gate Forward Leakage Current | -10 | 100 | Vgs=-40V | |||
25 | TA=+125℃ | ||||||
pss | Drain to Source Leakage Current | 200 | 200 | Vos=-20V,Vgs=Ves=0V | |||
IsDs | Source to Drain Leakage Current | 400 | 400 | Vso=-20V,VGp=VDB=0V | |||
D(on) | On Drain Current | -5 | 30 | -5 | -30 | mA | Vos=-15V VGs=-10V Vss=0V |
Vosoh | Gate Source Threshold Voltage | -2 | -5 | -2 | -5 | V | Vos=-15V lo=-10μA Vsg=0V |
VGsm | Gate Source Threshold Voltage | -2 | -5 | -2 | -5 | V | Vos=Vgs lo=-10μA Vsa=0V |
Ds(on | Drain Source ON Resistance | 300 | 300 | ohms | Vgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V | ||
gis | ForwardTransconductance | 1500 | 3000 | 1500 | 3000 | μS | Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V |
gos | Output Admittance | 300 | 300 | μS | |||
Cs | Input Capacitance | 3.0 | 3.0 | pF | Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz (NOTE 3)Vsa=0V | ||
Css | Reverse Transfer Capacitance | 0.7 | 1.0 | ||||
Coss | Output Capacitance | 3.0 | 3.0 | ||||
RE(Ys) | Common Source Forward Transconductance | 1200 | μS | Vos=-15V lo=-10mA f=100MHz (NOTE 3)Vsa=0V |
Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET因其高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性,在模擬信號處理和精密測量領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。無論是SOIC還是TO-99封裝,都提供了靈活的選擇,以適應(yīng)不同的設(shè)計和生產(chǎn)需求。
相關(guān)推薦:
立維創(chuàng)展優(yōu)勢代理Linear Systems產(chǎn)品,價格優(yōu)惠,歡迎咨詢。
推薦資訊
?IR-HiRel?氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容,非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率,降低了系統(tǒng)的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。
TI德州儀器?儀器放大器產(chǎn)品系列提供了各種各樣選擇項,以協(xié)助確保提升的性能適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域。
在線留言
一二三四免费BD高清视频| 欧洲无码一区二区三区在线观看| 两个奶头被吃到高潮视频| 女人被弄到高潮的免费视频| 色哟哟网站入口在线观看视频| 10000拍拍18勿入免费看| 丰满女人又爽又紧又丰满| 国产成人精品三上悠亚久久 | 99国产精品无码| 久久AV色欲AV久久蜜桃| 欧美最猛黑人XXXX黑人猛交| 成年免费A级毛片免费看无码| 日韩精品久久无码中文字幕| 精品国精品国产自在久国产| 最近免费韩国电影高清版无吗| 免费看高清大片的APP在线看| 成人做爰免费视频免费看| 国产精品亚洲专区无码牛牛| 久久精品99国产精品日本| 西西里的美丽传说在线观看| 女人被狂躁的高潮免费视频| 中文字幕亚洲乱码熟女在线萌芽| 饭桌上故意张开腿让公| 天天爽夜夜爽人人爽一区二区| 妇与子乱肉肉视频| 下一轮油价调整预测| 护士奶头又白又大又好摸视频| 人善交ZZZZXXXXX另类| 久久精品一区二区三区| 久久一区二区三区精华液| 亚洲妇熟XXXX妇色黄| 欧美日韩视费观看视频| 国精品无码一区二区三区在线蜜桃| 黑人强开嫩模又小又紧| 久久久久亚洲av无码专区体验 | 亚洲AV中文无码乱人伦在线咪咕| 欧美ZC0O人与善交另类A片| 无码人妻精品一区二区蜜桃色欲| 在熟睡夫面前侵犯我在线播放| 美女视频黄是免费| 无码AV免费一区二区三区试看|