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Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-07-22 10:19:25 瀏覽：249

　　SD11720是一款由Solitron Devices, Inc.推出的SiC N溝道功率MOSFET，專為高效率和高可靠性的功率電子應(yīng)用設(shè)計。該器件采用了先進(jìn)的碳化硅(SiC)技術(shù)，提供了卓越的電氣性能和熱性能，使其成為各種工業(yè)和能源應(yīng)用的理想選擇。

Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET

　　主要特點(Key Features)

　　漏極電流 (I_D): 58A

　　導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (R_DS(on)): 50mΩ

　　封裝類型: TO-247-3 塑料封裝

　　優(yōu)勢(Benefits)

　　SD11720 MOSFET具有多項顯著優(yōu)勢，包括：

　　低導(dǎo)通電阻的高阻斷電壓: 這使得器件在高壓應(yīng)用中能夠提供高效率和低損耗。

　　低電容的高速開關(guān): 高速開關(guān)能力減少了開關(guān)損耗，提高了整體系統(tǒng)效率。

　　高工作結(jié)溫能力: 能夠在高達(dá)175°C的結(jié)溫下工作，增強(qiáng)了器件的可靠性和耐久性。

　　較強(qiáng)的內(nèi)置體二極管性能: 這對于需要反向恢復(fù)特性的應(yīng)用尤為重要。

　　應(yīng)用(Applications)

　　SD11720 MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

　　- 太陽能逆變器

　　- 不間斷電源 (UPS)

　　- 電機(jī)驅(qū)動器

　　- 高電壓直流/直流轉(zhuǎn)換器

　　- 開關(guān)模式電源

　　絕對最大額定值(Absolute Maximum Ratings)

SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS VALUE UNIT
Vosmx	Drain-Source Voltage	Vs=0V,I=100μA	1200	V
	Gate-SourceVoltage	Absolute maximum values	-5/+20	V
l	Continuous Drain Current (see fig.21)	V=20V,T=25℃ Vs=20V,T[=100℃	58 43	A A
D,pulse	Pulsed Drain Current (see fig.24)	Pulse Width Limited by SOA	15	A
P	Maximum Power Dissipation (see fig.22)	T=25℃	327	W
T,Tsm	Junction Temperature,Operatingand Storage		-55 to +175	℃
I	Solder Temperature	Wave solderingonly allowed at leads,1.6mm from case for 10s	260	℃

　　SD11720 MOSFET的高性能和廣泛的應(yīng)用范圍使其成為功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組件。無論是用于太陽能逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動器還是高電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，SD11720都能提供卓越的性能和可靠性，滿足現(xiàn)代功率電子系統(tǒng)對高效率和高可靠性的要求。

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