CY62128ELL-45SXIT SRAM芯片CYPRESS
發(fā)布時間:2024-07-18 09:21:17 瀏覽:299
CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生產的一款高性能 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)芯片。以下是該芯片的詳細介紹:
主要特點
1. 訪問速度:45 ns,這意味著從發(fā)出讀取命令到數(shù)據(jù)可用之間的時間為45納秒。
2. 工作溫度范圍:
- 工業(yè)級:-40 °C 至 +85 °C
- 汽車級A:-40 °C 至 +85 °C
- 汽車級E:-40 °C 至 +125 °C
3. 電壓供應:4.5 V 至 5.5 V,適用于5V系統(tǒng)。
4. 引腳兼容性:與 CY62128B 系列芯片引腳兼容,便于升級和替換。
5. 低功耗:
- 待機電流:典型值為1 μA,最大值為4 μA(工業(yè)級)
- 工作電流:典型值為1.3 mA(在1 MHz頻率下)
6. 存儲擴展:通過 CE$ _1 $、CE$ _2 $ 和 OE 引腳支持存儲擴展。
7. 自動斷電:當設備未被選中或地址不變時,自動進入低功耗模式。
8. CMOS工藝:采用互補金屬氧化物半導體工藝,優(yōu)化了速度和功耗。
9. 環(huán)保封裝:提供無鉛和無鹵素的封裝選項,包括32引腳的STSOP、SOIC和TSOP封裝。
功能描述
CY62128E 是一款組織為 128K 字 × 8 位的靜態(tài) RAM 芯片。它采用先進的電路設計,旨在提供極低的功耗,非常適合需要長時間電池壽命的便攜式應用。
- 待機模式:當設備未被選中(CE$ _1 $ 高或 CE$ _2 $ 低)時,功耗減少超過99%。此時,八個 I/O 引腳(I/O$ _0 $ 至 I/O$ _7 $)處于高阻態(tài),輸出被禁用(OE 高),或者寫操作正在進行(CE$ _1 $ 低且 CE$ _2 $ 低且 WE 低)。
- 寫操作:當 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高,并且 WE 低時,數(shù)據(jù)通過 I/O 引腳寫入指定的內存位置。
- 讀操作:當 CE$ _1 $ 低和 CE$ _2 $ 高,并且 OE 低同時 WE 高時,內存位置的數(shù)據(jù)通過 I/O 引腳讀取。
CY62128E適合與具有 TTL 輸入電平的處理器接口,但不適合需要 3V 輸入電平的處理器。
應用
- 便攜式設備
- 工業(yè)控制系統(tǒng)
- 汽車電子
- 通信設備
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