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Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

發(fā)布時間:2024-06-18 09:12:31     瀏覽:343

  SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生產(chǎn)的電子元件,屬于Si3495DV系列。這款MOSFET采用了TSOP-6封裝類型,具有8個引腳,并以其獨特的引腳排列方式(Dgume Number 1 73350)進行標(biāo)識。其主要規(guī)格包括:工作電壓范圍為2.5 V至5.5 V,耐壓能力達到1000 V DC,電流容量為200mA/100mΩ,開關(guān)頻率為2 MHz,絕緣電阻最小值為1.0 kΩ/1000 V DC。此外,該MOSFET還具備其他典型的特性和應(yīng)用優(yōu)勢,滿足各種電路設(shè)計和應(yīng)用的需求。

Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET

ABSOLUTE      MAXIMUM      RATINGS    TA=25    ℃,unless    otherwise    noted
ParameteSymbol5 sSteady StateUnit
Drain-Source VoltageVps-20V
Gate-Source VoltageVgs±5
Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)2TA=25 ℃lb-7-5.3A
TA=85℃-3.6-3.9
Pulsed Drain CurrenDM-20
Continuous Source Current (Diode Conduction)ls-1.7-0.9
Maximum Power DissipationaTA=25℃Po2.01.1W
TA=85 ℃1.00.6
Operating Junction and Storage Temperature RangeTJT-55 to 150

THERMAL         RESISTANCE         RATINGS
ParameterSymbolTypicalMaximumUnit
Maximum Junction-to-Ambientat≤5sRmIA4562.5C/W
Steady State90110
Maximum Junction-to-Foot (Drain)Steady StateRmJF2530

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