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  MEMS與晶體振蕩器的區(qū)別 2024-03-04 08:46:58

  MEMS和石英晶體振蕩器都可以通過(guò)溫度補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)低于1 PPM的穩(wěn)定性，或者使用烤箱控制達(dá)到PPB級(jí)別的精度。晶體振蕩器可分為TCXO和OCXO兩種，而類似補(bǔ)償?shù)腗EMS則用XO表示。

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  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點(diǎn)，A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn)，B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn)，且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括絕對(duì)容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機(jī)械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。