Infineon英飛凌IRFG110四路N溝道MOSFET
發(fā)布時間:2024-04-09 09:42:25 瀏覽:338
Infineon英飛凌的IRFG110是一款四路N溝道MOSFET,屬于JANTX2N7334和JANTXV2N7334系列。該器件具有高可靠性、低靜態(tài)電流和良好的散熱能力等特點。它采用了HEXFET技術,這是英飛凌公司先進的功率MOSFET晶體管技術,通過高效的幾何設計實現(xiàn)了非常低的導通電阻與高跨導相結合。此外,HEXFET晶體管還保留了MOSFET的所有公認優(yōu)點,如電壓控制、快速切換、易于并聯(lián)以及電參數(shù)溫度穩(wěn)定性。
IRFG110特別適用于需要高可靠性的應用,如開關電源、電機控制、逆變器、斬波器、音頻放大器和高能脈沖電路等。它還具有簡單的驅動要求和易于并聯(lián)的特性。
此外,IRFG110采用THRU-HOLE (MO-036AB)封裝類型,其電壓等級為100V。符合MIL-PRF-19500/597軍用標準。
Part Number | RDS(on | ID |
RFG110 | 0.7 Q | 1.0A |
類似零件:
IRFG110 | 采用密封包裝的IRFG110 |
JANTX2N7334 | 采用密封包裝的JANTX2N7334 |
JANTXV2N7334 | 采用密封包裝的JANTXV2N7334 |
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
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晶體控制振蕩器可分為兩大類:正電抗或負電抗。正電抗模式通常被稱為“平行諧振”或“反諧振”振蕩器。皮爾斯振蕩器是一種常見的正電抗振蕩器。負電抗模式通常被稱為串聯(lián)振蕩器。Statek晶體的設計和調(diào)整為特定的操作模式(表1)。
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