英飛凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET PDP開關(guān)
發(fā)布時(shí)間:2024-04-01 10:15:36 瀏覽:373
Infineon英飛凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET,一款專為等離子顯示面板(PDP)中的持續(xù)工作、能量回收及開關(guān)應(yīng)用量身打造的卓越器件。它采納了最新的處理技術(shù),實(shí)現(xiàn)了每硅面積的超低導(dǎo)通電阻和低脈沖額定值,從而有效降低了功率損耗,提升了系統(tǒng)效率。
這款MOSFET的設(shè)計(jì)充分考慮了PDP應(yīng)用的特殊性,其關(guān)鍵參數(shù)經(jīng)過精心優(yōu)化,以滿足PDP維持、能量回收及開關(guān)應(yīng)用中的高性能需求。同時(shí),它具備低脈沖額定值,能夠顯著減少在PDP運(yùn)行過程中的功率耗散,實(shí)現(xiàn)更為節(jié)能的運(yùn)行模式。
IRFS4227TRLPBF功率MOSFET的另一大亮點(diǎn)是其出色的熱性能。它擁有高達(dá)175°C的工作結(jié)溫,使得在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài),提升了器件的堅(jiān)固性。此外,高重復(fù)峰值電流能力保證了器件在高負(fù)載條件下仍能可靠運(yùn)行,進(jìn)一步增強(qiáng)了其穩(wěn)定性和可靠性。
在響應(yīng)速度方面,這款MOSFET同樣表現(xiàn)出色。它具備低QG和快速響應(yīng)的特性,使得開關(guān)動(dòng)作更為迅速,有效提升了系統(tǒng)的整體性能。同時(shí),短下降和上升時(shí)間也確保了快速切換的實(shí)現(xiàn),進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。
特性:
先進(jìn)工藝技術(shù)
關(guān)鍵參數(shù)優(yōu)化PDP維持,能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用
低脈沖額定值,以減少功率耗散的PDP維持,能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用
低QG,快速響應(yīng)
高重復(fù)峰值電流能力,可靠運(yùn)行
短下降和上升時(shí)間快速切換
175°C工作結(jié)溫,提高堅(jiān)固性
魯棒性和可靠性的重復(fù)雪崩能力
規(guī)格參數(shù):
Parametrics | IRFS4227 |
---|---|
Budgetary Price €/1k | 1.57 |
ID (@25°C) max | 62 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Mounting | SMD |
Operating Temperature min max | -40 °C 175 °C |
Ptot max | 330 W |
Package | D2PAK (TO-263) |
Polarity | N |
QG (typ @10V) | 70 nC |
Qgd | 23 nC |
RDS (on) (@10V) max | 26 m? |
RthJC max | 0.45 K/W |
Tj max | 175 °C |
VDS max | 200 V |
VGS(th) min max | 4 V 3 V 5 V |
VGS max | 30 V |
總的來說,IRFS4227TRLPBF功率MOSFET憑借其卓越的性能和穩(wěn)定性,成為了PDP驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的高效、穩(wěn)健和可靠的器件。無論是在持續(xù)工作、能量回收還是開關(guān)應(yīng)用中,它都能發(fā)揮出優(yōu)異的表現(xiàn),為PDP系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供有力保障。
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PDI(Wi2Wi)的TV07-25000X-C-N-D-3-R-X VCTCXO,尺寸7.00x5.00x2.30 mm,頻率8-52 MHz,工作溫度-55至+125°C,適用于極端環(huán)境,提供高頻率穩(wěn)定性和低相位噪聲。
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