MICRON DDR4 SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2022-04-24 17:03:57 瀏覽:871
MICRON DDR4 SDRAM是高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器,內(nèi)部配備有x16配置的8列DRAM和X4和X8配置的16列DRAM。MICRON DDR4 SDRAM選用8N預(yù)取構(gòu)造,實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。8N預(yù)取構(gòu)造與接口相結(jié)合,設(shè)計(jì)適用于在I/O引腳上每時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)項(xiàng)。MICRON DDR4 SDRAM的單次讀寫(xiě)操作包括在內(nèi)部DRAM內(nèi)核上進(jìn)行一次8N位寬的四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸,及其在I/O引腳上進(jìn)行兩次相應(yīng)的n位寬的半時(shí)鐘周期數(shù)據(jù)傳輸。MICRON DDR4 SDRAM是DRAM的下一次開(kāi)發(fā),它提供了更高的性能和更強(qiáng)大的控制作用,同時(shí)提高了企業(yè)、微型服務(wù)器、筆記本電腦和超薄客戶(hù)端應(yīng)用程序的能源經(jīng)濟(jì)性。
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Product | Clock Rate (CK) | Data Rate | Density | Prefetch (Burst Length) | Number of Banks | ||
Max | Min | Min | Max | ||||
SDRAM | 10ns | 5ns | 100 Mb/s | 200 Mb/s | 64–512Mb | 1n | 4 |
DDR | 10ns | 5ns | 200 Mb/s | 400 Mb/s | 256Mb–1Gb | 2n | 4 |
DDR2 | 5ns | 2.5ns | 400 Mb/s | 800 Mb/s | 512Mb–2Gb | 4n | 4,8 |
DDR3 | 2.5ns | 1.25ns | 800 Mb/s | 1600 Mb/s | 1–8Gb | 8n | 8 |
DDR4 | 1.25ns | 0.625ns | 1600 Mb/s | 3200 Mb/s | 4–16Gb | 8n | 8,16 |
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