MICRON DDR4 內(nèi)存
發(fā)布時間:2021-06-04 17:07:48 瀏覽:827
MICRON DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預(yù)取機(jī)制(DDR3為8位),在同樣內(nèi)核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
MICRON DDR4是DRAM的下一代演進(jìn),提供更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更強(qiáng)大的控制功能模塊,與此同時提高企業(yè)、微型服務(wù)器、平板電腦和超薄客戶端應(yīng)用領(lǐng)域的環(huán)保節(jié)能性。
微型DDR4內(nèi)存特點:
寬度:x4、X8,x16;
電流電壓:1.2V;
封裝:FBGA、TFBGA;
時鐘頻率:1200MHz、1333MHz、1600MHz;
工作溫度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
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