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ADI晶圓化合物半導(dǎo)體材料

發(fā)布時間:2021-03-18 17:13:47     瀏覽:1625

ADI晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。ADI新的單晶能夠是與襯底相同的材料,還可以是有所不同的材料。外延性能夠產(chǎn)生越來越多種類的材料,使元器件設(shè)計有越來越多的選擇。

襯底制取的基礎(chǔ)步驟如下:首先,對半導(dǎo)體材料多晶材料進行提煉、摻雜和拉伸,獲得單晶材料。以硅為例子,先將硅砂精煉、復(fù)原為純度98%左右的冶金工業(yè)級粗硅,再通過多次提煉,獲得電子級高純度多晶硅,再經(jīng)爐拉獲得單晶硅棒。通過機械加工、化學處理、表面拋光和質(zhì)量檢測,獲得了滿足一定標準的單晶拋光片。拋光的目的是更進一步去除加工表面上的殘余損傷層。綜上所述拋光片可直接適用于制造元器件,也可用作外延性的襯底材料。

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