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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Connor Winfield 7115,7125,7135表面貼裝晶振5V 2024-09-02 09:40:51

  Connor Winfield的7115、7125和7135型號表面貼裝晶體振蕩器，采用5V HCMOS技術(shù)，頻率范圍1.8MHz至50MHz，工作溫度0至70°C，具有寬頻率公差和三狀態(tài)啟用/禁用功能，適用于精密時鐘應用。