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MICRON DDR5 SDRAM

發(fā)布時間:2020-12-24 16:57:28     瀏覽:1126

CPU核心的數(shù)量正在增加。為了實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的持續(xù)計算性能改進,需要使用MICRON DDR5的性能優(yōu)勢來維護每個CPU內(nèi)核的可用帶寬。MICRON DDR5及其額外的計算將有助于從當(dāng)今世界產(chǎn)生的爆炸性數(shù)據(jù)中提取價值和洞察力。

MICRON DDR5 技術(shù)支持計劃(TEP)是一項項目,它提供獲取美光技術(shù)的途徑,并提供早期獲取技術(shù)信息和支持、電力和散熱模型以及MICRON DDR5產(chǎn)品的機會,以幫助設(shè)計、開發(fā)和推出下一代產(chǎn)品。它還代表計算平臺,還匯集了其他生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴,幫助MICRON DDR5在市場上隨處推廣和采用。

DDR5 DRAM開發(fā)的下一步,它帶來了一系列新的功能,旨在提高(RAS)的可靠性、可用性和可使用性。降低功耗,并大大提高性能。

 DDR5 SDRAM.png

DDR5的一些關(guān)鍵功能如下:

功能/選項

DDR5

DDR5的優(yōu)勢

 資料速率

 3200-6400 MT /

 提高性能和帶寬

 V DD / V DDQ / V PP 

 1.1 / 1.1 / 1.8 

 降低功率

 內(nèi)部REF

 V REFDQ,REFCA,REFCS 

 提高電壓裕度,降低BOM成本

 設(shè)備密度  

 8Gb64Gb  

 支持更大的單片器件 

 預(yù)取  

 16n  

 使內(nèi)部內(nèi)核時鐘保持低電平

 DQ接收器均衡 

 DFE

 改善
 DRAM內(nèi)部接收到的DQ數(shù)據(jù)眼的張開

 占空比調(diào)整(DCA 

 DQSDQ

 改善發(fā)送的DQ / DQS引腳上的信令

 內(nèi)部DQS延遲
 監(jiān)控 

 DQS間隔振蕩器 

 增強抵抗環(huán)境變化的能力 

 片上ECC

 128b + 8b SEC,錯誤檢查和清理 

 增強片上RAS

 CRC 

 /  

 通過保護讀取的數(shù)據(jù)來增強系統(tǒng)RAS 

 銀行組(BG/銀行 

 8 BG x 2個存儲區(qū)(8Gb x4 / x8
 4 BG x 2個存儲區(qū)(8Gb x16
 8 BG x 4個存儲區(qū)(16-64Gb x4 / x8
 4 BG x 4個存儲區(qū)(16-64Gb x16 

 提高帶寬/性能

 命令/地址界面 

 CA <130> 

 大大減少了CA引腳數(shù)

 ODT

 DQ,DQSDMCA總線  

 改善信號完整性,降低BOM成本 

 突發(fā)長度

 BL16,BL32
 (和BC8 OTF,BL32 OTF 

 僅通過1DIMM子通道允許64B高速緩存行讀取。 

 MIR鏡像引腳) 

 

 改善DIMM信號

 總線倒置 

 命令/地址反轉(zhuǎn)(CAI 

 降低模塊上的DDQ噪聲

 CA培訓(xùn),CS培訓(xùn) 

 CA培訓(xùn),CS培訓(xùn) 

 改善CACS引腳上的時序裕度  

 編寫水準訓(xùn)練模式 

 已改善

 補償不匹配的DQ-DQS路徑

 閱讀訓(xùn)練模式 

 用于串行
 (用戶定義),時鐘和LFSR
 生成的訓(xùn)練模式的 專用MR

 使讀取時序裕度更穩(wěn)定

 模式寄存器

 最多256 x 8
 LPDDR類型讀/寫) 

 提供擴展空間

 PRECHARGE命令 

 所有銀行,每家銀行和同一家銀行 

 PREsb在每個BG中啟用預(yù)充電特定的存儲庫

 刷新命令 

 所有銀行和同一銀行

 REFsb支持刷新每個BG中的特定存儲體

 環(huán)回模式

 

 啟用DQDQS信令測試 

 

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。

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