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JANTX1N5615US-TR表面貼裝整流二極管

發(fā)布于:2024-11-19 11:26:29

品牌名稱:Microsemi

重要參數(shù):

電壓:200V

電流:1A

溫度范圍:-65°C至+175°C

封裝:D-5A


  • 產品詳情
TYPEWORKING
  PEAK
REVERSE
VOLTAGE
  VRWM
MINIMUM
BREAKDOWN
VOLTAGE
VeR @50μA
  AVERAGE
  RECTIFIED
  CURRENT
  lo@TA
  (NOTE  1)
FORWAR
D
VOLTAGE
(MAX)
VF@3A
  REVERSE
  CURRENT
  (MAX.)
  Ir @VRWM
CAPACITANCE
(MAX.)
C@VR=12    V
f=1 MHz
MAXIMUM
sURGE
CURRENT
FSM
(NOTE  2)
REVERSE
RECOVERY
(MAX)
(NOTE 3)
t

VOLTSVOLTSAMPSVOLTSμApFAMPSns



50℃100℃
25℃100℃


1N5615US200 220 1.00 .750 .8 MIN.
1.6 MAX
.5 25 45 25 150 
1N5617US400 440 1.00 .750 .5 25 35 25 150 
1N5619US600 660 1.00 .750 .5 25 25 25 250 
1N5621US800 880 1.00 .750 .5 25 20 25 300 
1N5623US1000 1100 1.00 .750 .5 25 15 25 500 

產品描述

1N5615US至1N5623US系列:這是一系列快速恢復表面貼裝整流器,符合MIL-PRF-19500/429軍用標準,適用于高可靠性應用,如軍事和其他不允許失敗的應用。

封裝:這些器件采用無空洞玻璃封裝,內部采用“Category I”冶金鍵合。

工作峰值反向電壓:200至1000伏特。

電流等級:平均整流電流為1.0安培。

特性與應用

表面貼裝封裝:等同于JEDEC注冊的1N5615至1N5623系列。

無空洞密封玻璃封裝:提供更好的可靠性和性能。

三重層鈍化:增強器件的穩(wěn)定性和耐用性。

內部冶金鍵合:提高器件的可靠性。

工作峰值反向電壓:200至1000伏特。

快速恢復1安培整流器:適用于200至1000伏特的軍事和高可靠性應用。

最大額定值

結溫與存儲溫度:-65°C至+175°C。

熱阻:13°C/W(結至端蓋)。

熱阻抗:4.5°C/W(10ms加熱時間)。

平均整流前向電流:1.0安培(TA=55°C)。

前向浪涌電流:30安培(8.3ms半正弦波)。

電氣特性

工作峰值反向電壓(VRWM):200至1000伏特。

最小擊穿電壓(VBR):220至1100伏特。

平均整流電流(IO):1.00安培。

最大前向電壓(VF):0.750至0.750伏特。

最大反向電流(IR):0.5至0.5微安培。

電容(C):25至25皮法拉(1MHz,12V)。

最大浪涌電流(IFSM):150至500安培。

反向恢復時間(trr):未提供具體數(shù)值。


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