- 產(chǎn)品詳情
Part number | Package | Screening Level | TID Level |
RHYS67134CM | TO-257AA Low Ohmic | COTS | 100 krad(Si) |
RHYS67134CMSCS | TO-257AA Low Ohmic | S-Level | 100 krad(Si) |
JANSR2N7590T3 | TO-257AA Low Ohmic | JANS | 100 krad(Si) |
RHYS63134CM | TO-257AA Low Ohmic | COTS | 300 krad(Si) |
RHYS63134CMSCS | TO-257AA Low Ohmic | S-Level | 300 krad(Si) |
JANSF2N7590T3 | TO-257AA Low Ohmic | JANS | 300 krad(Si) |
IRHYS67134CM是一款抗輻射、150V、19A的單通道N溝道MOSFET,采用TO-257AA低電阻封裝。此型號具有如下特點:
- 單粒子效應(yīng)(SEE)強(qiáng)化,保證高穩(wěn)定性;
- 低總門電荷,提升性能表現(xiàn);
- 低RDS(on),減少功耗損耗;
- 快速切換,提高開關(guān)效率;
- 簡單的驅(qū)動要求,易于集成和控制;
- 具備電氣隔離和密封功能,可靠性高;
- 內(nèi)置陶瓷孔眼設(shè)計,有效散熱;
- 輕巧便攜,適用于多種場合使用。
此外,該MOSFET符合ESD等級2級,符合MIL-STD-750方法1020標(biāo)準(zhǔn)。
該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域:
- 用于FPGA、ASIC和DSP內(nèi)核軌的負(fù)載點(PoL)轉(zhuǎn)換器;
- 同步整流電路;
- 有源ORing電路;
- 配電電路;
- 負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用場景。