- 產(chǎn)品詳情
描述:
Connor-Winfield 5.0 0x3.2mm溫度補償晶體振蕩器和電壓控制溫度補償晶體振蕩器專為在小封裝中需要嚴格頻率穩(wěn)定性的應用而設計。通過使用模擬溫度補償，該器件能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持低于1 ppm的穩(wěn)定性。
TCXO溫度補償晶振：
| 零件編號 | 產(chǎn)品類型 | 包 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準 | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| M30x TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | 不適用 | 第 3 層 |
| M31x TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M32x TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M50 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | 不適用 | 第 3 層 |
| M51 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M52 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M60 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | 不適用 | 國際電聯(lián) |
| M61 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M62 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M70 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | 不適用 | 國際電聯(lián) |
| M71 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | 不適用 | 固定頻率 |
| M72 TCXO 系列 RoHS | TCXO系列 | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | 不適用 | 固定頻率 |
VCTCXO壓控溫補晶振：
| 零件編號 | 產(chǎn)品類型 | 邏輯系列 | 包 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準 | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| M30x VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M31x VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M32x VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M50 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M51 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M52 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M60 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M61 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M62 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M70 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M71 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
| M72 VCTCXO 系列 RoHS | VCTCXO | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70°C | +/-10ppm | 電壓控制 |
訂購信息：
特點:
?3.3V操作
?LVCMOS或剪切正弦波輸出邏輯
?迷你5 × 3.2mm SMT封裝
?頻率穩(wěn)定性可用:
±0.28 ppm與地層3留置
±0.50 PPM或±1.00 PPM或±2.00 PPM
?溫度范圍:
0 ~ 70℃;0 ~ 85℃;-20 ~ 70℃;-40至85°C
?低功率< 6ma
?低抖動<1pS RMS
?相位噪聲低
?磁帶和卷軸包裝
?符合RoHS標準/無鉛
?推薦用于新設計
應用:
?STRATUM 3應用
?GPS接收器
?儀器
?家庭基站
?ftth, FTTC
