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IPP65R090CFD7 650V CoolMOS? SJ功率MOSFET

發(fā)布于:2023-12-01 09:58:17

品牌名稱:Infineon英飛凌

重要參數(shù):

RDS (on)   max:90 m?

VDS   max:650 V

封裝:PG-TO220-3


  • 產(chǎn)品詳情

650V CoolMOS? CFD7 SJ功率MOSFET集成了快速體二極管,是諧振高功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇

英飛凌的650V CoolMOS? CFD7 超結(jié) MOSFET采用 TO-65 封裝的 IPP090R7CFD220 非常適合工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),例如服務(wù)器,電信,太陽的和電動汽車充電站,與競爭對手相比,它可以顯著提高效率。作為CFD2 SJ MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管系列,它具有更低的柵極電荷、改進的關(guān)斷行為和更低的反向恢復(fù)電荷,可實現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的 50V 擊穿電壓。


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IPP65R090CFD7PG-T0220-365R090F7see Appendix A


功能概要

超快體二極管和極低的 Q 值RR型

650V擊穿電壓

與競爭產(chǎn)品相比,開關(guān)損耗顯著降低

最低 RDS(開)與溫度的關(guān)系


好處

出色的硬換向堅固性

為總線電壓增加的設(shè)計提供額外的安全裕度

提高功率密度

在工業(yè)SMPS應(yīng)用中具有出色的輕載效率

提高工業(yè)SMPS應(yīng)用中的滿載效率

與市場上的替代產(chǎn)品相比,價格競爭力


潛在應(yīng)用

電動汽車快速充電

服務(wù)器電源

太陽能系統(tǒng)解決方案

電信基礎(chǔ)設(shè)施



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