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L波段內(nèi)部預匹配GaN-SiC HEMT功率晶體管CLL3H0914L-700

發(fā)布于:2023-11-21 11:22:05

品牌名稱:Ampleon

重要參數(shù):

功率:700W

封裝:SOT502A

應用:0.9 ~1.4 GHz 的頻率范圍內(nèi)使用

  • 產(chǎn)品詳情

  Ampleon公司的 CLL3H0914L-700 是一款氮化鎵射頻功率晶體管, 工作頻率范圍為 0.9 至 1.4 GHz。它提供 700 W 的輸出功率和 17 dB 的功率增益,漏極效率超過 58%。該晶體管基于 GaN-SiC HEMT 技術(shù),具有出色的效率、熱阻和堅固性,適用于短脈沖和長脈沖應用。它需要 50 V 的直流電源。該晶體管采用預匹配陶瓷法蘭封裝,尺寸為 1.335 x 0.785 x 0.067 英寸,適用于航空電子應用。

選型:

CLL3H0914L-700; CLL3H0914LS-700


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L波段內(nèi)部預匹配GaN-SiC HEMT

CLL3H0914L-700 和 CLL3H0914LS-700 是 700 W 內(nèi)部預匹配的射頻 GaN-SiC HEMT 功率晶體管,可在 0.9 GHz 至 1.4 GHz 的頻率范圍內(nèi)使用。這些器件具有出色的效率、耐熱性和耐用性,適用于短脈沖和長脈沖應用。

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參數(shù)

象征參數(shù)條件最小值典型值/否麥克斯單位
f范圍頻率范圍
900
1400兆赫
PL(1分貝)1 dB增益壓縮時的標稱輸出功率

750
W
測試信號:脈沖射頻
VDS漏源電壓[0]
50
V
Gp功率增益PL= 725 瓦 [0]1517
分貝
ηD排水效率PL= 725 瓦 [0]5865
%
PL輸出功率PL(3分貝) [0]725800
W
RL系列輸入回波損耗PL= 725 瓦 [0]
-10
分貝
P下垂(脈沖)脈沖壓降功率PL= 725 瓦 [0]
0.1
分貝

固定信息

象征描述簡化的輪廓圖形符號
1D排水
2G
3S


特點和優(yōu)勢:

700W 內(nèi)部預匹配 GaN-SiC HEMT,頻率范圍為 0.9 GHz 至 1.4 GHz,具有內(nèi)部穩(wěn)定網(wǎng)絡

低熱阻

出色的堅固性

960 MHz 至 1215 MHz 和 1030 MHz 的高效率短脈沖參考設計,適用于航空電子應用

1.2 GHz 至 1.4 GHz 的高效率長脈沖參考設計


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